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Das nun seit zwei Jahrzehnten anhaltende Interesse an den Halb leitern - sei es als Modellsubstanzen fiir die Untersuchung von Fest korpereigenschaften, sei es als Ausgangsmaterialien fiir zahlreiche Bauelemente der Elektronik - hat zu einer Flut von Veroffent lichungen gefiihrt. AIle neu erscheinenden Originalarbeiten kann ein einzelner nicht mehr iiberblicken. Die Zahl der zusammenfassenden Berichte iiber Teilgebiete der Halbleiterphysik betragt weit iiber Hundert. Wenn in dieser Situation ein weiteres Buch iiber Halb leiter vorgelegt wird, so waren dafiir folgende Griinde maBgebend: Der groBte Teil der Halbleiterphiinomene laBt sich mit einfachen halbklassischen Modellvorstellungen qualitativ (und oft auch quan titativ) erklaren. Dies gilt insbesondere fiir die Erscheinungen, die die Grundlage zum Verstiindnis der Transistorphysik bilden. Der Erfolg einfacher Modelle ist aber immer mit der Gefahr der miB brauchlichen Anwendung der notwendig simplifizierten Begriffe ver bunden. Die Grenzen der Anwendung eines Modells miissen also stets im Auge behalten werden. Nicht nur in der Forschung, sondern auch in der Anwendung sind diese Grenzen aber heute in vielen Fallen iiberschritten. So laBt sich der Gunn-Effekt - um nur ein Beispiel zu nennen - nicht verstehen ohne die Kenntnis der detail lierten Bandstruktur des Galliumarsenids und ohne Beriicksichtigung der unterschiedlichen Elektron-Phonon-Wechselwirkung bei schwa chen und bei starken elektrischen Feldern. Nicht nur der Physiker, der auf dem Halbleitergebiet arbeitet, sondern auch der Ingenieur, der die Halbleiterbauelemente mit Verstandnis anwenden will, sollte deshalb iiber die einfachen Grundbegriffe des Halbleitermodells bin aus dessen Grenzen und Erweiterungsmoglichkeiten kennen.
