Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit koennen Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit uber 100 m erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere fur die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor fuhrt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhangigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.